Создан метод выращивания полупроводников размерами меньше одного нанометра

Ученые разработали способ создания крошеных транзисторов.
Создан метод выращивания полупроводников размерами меньше одного нанометра

Фото: unsplash

Южнокорейским ученым из Университета науки и техники Пхохан удалось преодолеть технологические ограничения в производстве полупроводников. Они создали инновационный метод, позволяющий выращивать металлические полупроводники менее одного нанометра, – передают журналисты.

В обычных процессах производства полупроводников минимально возможный размер составляет несколько нанометров, так как существуют ограничения литографии. Ученым удалось решить эту проблему, используя двойную зеркальную границу двумерного дисульфида молибдена.

Руководитель исследования Чо Чунхо выразил уверенность в том, что их открытие станет «ключевой технологией» для развития маломощных и высокопроизводительных электронных устройств. Новая разработка поможет создавать сверхминиатюрные транзисторы, что открывает массу возможностей.

* Instagram, Facebook признаны экстремистcкими организациями в России

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: